惠州代写碳化硅功率器件的研发和产业化项目商业计划书
2、项目建设的必要性 （1）新能源革命对功率半导体产业发展提出更高要求 国家“碳达峰、碳中和”战略所引发的新能源革命，将推动光伏、风能等清 洁能源以及储能设备等新能源相关基础设施的大量建设，而新能源基建设施设备 的高压、高频、高功率应用场景对功率半导体器件发展提出了更高要求。 硅材料属于基础性半导体材料，而碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带 半导体材料属于高能半导体材料，也被业内称为第三代半导体材料。以第三代半 导体材料制作的功率器件相比传统硅基功率器件，具有能效高、损耗小、小型化 的特点，在高压、高频、高功率的新能源基建设施设备中有广阔的应用前景。 因此，为顺应新能源革命对功率半导体产业发展提出的更高要求，公司有必 要开拓具有高能属性的第三代半导体产业。 （2）助力国家第三代半导体产业国产化进程 全球第三代半导体产业虽有较长时间的研究历程，但在近年来才逐步实现产 业化推广，并在越来越多适应于高压、高频、高功率的领域得到广泛应用，如光 伏、风能、新能源汽车、充电桩、高铁、5G 等应用领域。 目前，美、欧、日等国家在第三代半导体产业链技术成熟度明显领先于中国。 以碳化硅功率器件产业链为例：原材料方面，碳化硅功率器件最主要原材料为碳 化硅衬底，在成本中占比约 50%，60%以上碳化硅衬底产自美国 Cree 公司，剩 余约 30%以上碳化硅衬底产自其他美、欧、日半导体材料公司；生产制造方面， 可以实现碳化硅功率器件大规模量产的品牌企业也主要是美国 Cree、德国英飞 凌、美国安森美、日本罗姆、瑞士意法半导体等国外先进技术企业；市场应用方 面，国内市场约 80%的碳化硅功率器件依赖于进口。 鉴于全球第三代半导体产业仍处于产业化的起步快速成长阶段，国内企业技 术水平与国际先进企业差距相对有限，有望通过加大投入逐步缩小与国际先进企 业技术差距；此外，第三代半导体产业链实现国产化，对保障国家新能源革命战 略顺利推进至关重要。 
（3）丰富公司功率半导体产品线，提升公司核心竞争力 公司在功率半导体领域有着清晰的技术路线和产品路线。目前产品线以硅基 功率器件为主，包括肖特基二极管、超级结 MOSFET、快恢复二极管、 SGT-MOSFET 等。公司以硅基功率器件为基本盘，积极布局第三代半导体相关 产品，满足功率器件往更高的功率密度、更高的封装密度方向发展，有助于丰富 公司功率半导体产品线，进一步提升公司在功率半导体产业的核心竞争力。 3、项目建设的可行性 （1）国家政策大力支持第三代半导体产业发展 近年来，国家大力支持第三代半导体产业发展，国家及各部委、各地方陆续 发布针对第三代半导体产业发展的支持政策。国家政策的大力支持，将有力地推动我国第三代半导体产业的发展，为本项 目实施提供了良好的政策环境。 （2）碳化硅功率器件市场持续快速增长 碳化硅的市场应用领域偏向 1000V 以上的中高电压范围，具有耐高压、耐 高温、高频三大优势，比硅更薄、更轻、更小巧。 碳化硅功率器件市场目前处于产业化的起步阶段，但市场规模正在快速扩张。 现阶段，限制碳化硅功率器件推广的主要因素包括碳化硅原材料成本高、产业链 成熟度有待提升、下游应用有待进一步开发。伴随国内外碳化硅产业链日趋成熟， 规模和技术不断提升，成本持续下降，下游新的应用不断开发，碳化硅即将迎来 爆发式增长。 根据 IHS 统计数据，2018 年碳化硅功率器件市场规模约 3.9 亿美元，受新 能源汽车庞大需求的驱动，以及光伏、风能和充电桩等领域对于效率和功耗要求 提升，预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元。 （3）碳化硅功率器件已初具国产化供应链基础 在国家的大力支持和国内先行企业的不断探索下，我国碳化硅功率器件已初 具国产化供应链基础，为碳化硅功率器件进一步国产化和供应链自主可控奠定了 较好的产业链基础。 （4）公司拥有相关的技术储备，并已对碳化硅工艺平台完成了初步验证 公司控股子公司及其研发团队长期从事硅基功率 半导体及第三代半导体功率器件的研发及产业化工作，拥有丰富的技术储备，前 期已与合作晶圆代工厂对碳化硅工艺平台进行了初步验证，为后续进行试生产和 量产奠定了良好的基础，对本项目的顺利实施提供了技术保障。
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